Solución de peróxido de hidrógeno (H₂O₂) de grado electrónico CAS 7722-84-1
- CAS: 7722-84-1
- Sinónimos: dióxido de hidrógeno, solución de peróxido
- N.º EINECS: 231-765-0
- Fórmula molecular: H₂O₂
- Grado: Grado Electrónico
- Embalaje: Tambor Integra de 200 L / Tanque IBC
Tree Chem fabrica Peróxido de hidrógeno de grado electrónico (CAS 7722-84-1) Bajo un riguroso control de purificación y filtración para satisfacer los exigentes requisitos de las fábricas de semiconductores, las líneas fotovoltaicas y la producción de LCD/LED. Este producto ofrece... contenido de metal a nivel sub-ppb, Excelente estabilidad a la descomposición y alta transparencia. Disponible en múltiples grados (series HP y UP), diseñados para diversas aplicaciones de limpieza de precisión y oxidación.
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Especificación
Información básica
| Parámetro | Valor |
| Número CAS | 7722-84-1 |
| Sinónimos | Solución de dióxido de hidrógeno y peróxido |
| N.º EINECS. | 231-765-0 |
| Fórmula molecular | H₂O₂ |
| Calificación | Grado electrónico |
| Embalaje | Tanque IBC/bidón Integra de 200 L |
Especificación técnica
| Artículo | HP-1 | HP-2 | UP-1 | UP-2 | UP-3 | UP-4 |
| Contenido de H₂O₂ (con %) | 30–35 | 30–35 | 30–32 | 30–32 | 30–32 | 30–32 |
| Color (Hazen) ≤ | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Ácido libre (como H₂SO₄, ppm) ≤ | 30 | 30 | 30 | 30 | 10 | 10 |
| Carbono orgánico total (COT, ppm) ≤ | 40 | 40 | 20 | 20 | 10 | 5 |
| Cloruro (Cl⁻, ppm) ≤ | 0.5 | 0.5 | 0.2 | 0.2 | 0.03 | 0.03 |
| Sulfito (SO₃²⁻, ppm) ≤ | 2 | 2 | 0.4 | 0.4 | 0.03 | 0.03 |
| Fosfato (PO₄³⁻, ppm) ≤ | 1 | 1 | 0.4 | 0.4 | 0.03 | 0.03 |
| Sulfato (SO₄²⁻, ppm) ≤ | 2 | 2 | 0.2 | 0.2 | 0.03 | 0.03 |
| Aluminio (Al, ppb) ≤ | 500 | 100 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Arsénico (As, ppb) ≤ | 20 | 5 | 1 | 1 | 0.1 | 0.01 |
| Boro (B, ppb) ≤ | 50 | 20 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Bario (Ba, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Calcio (Ca, ppb) ≤ | 200 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Cadmio (Cd, ppb) ≤ | 50 | 20 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Cromo (Cr, ppb) ≤ | 20 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Cobre (Cu, ppb) ≤ | 20 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Hierro (Fe, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Potasio (K, ppb) ≤ | 200 | 100 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Magnesio (Mg, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Sodio (Na, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Níquel (Ni, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Estroncio (Sr, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Estaño (Sn, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Titanio (Ti, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Vanadio (V, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Zinc (Zn, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Recuento de partículas (≥0,2 µm, piezas/ml) ≤ | — | — | 10 | 10 | — | — |
Aplicaciones
Fabricación de semiconductores
- El peróxido de hidrógeno de grado electrónico se utiliza ampliamente en limpieza y grabado de semiconductores Procesos, donde desempeña un papel vital en la eliminación de impurezas orgánicas y metálicas de las obleas de silicio. En los pasos de limpieza de RCA, mezclas como H₂O₂ + NH₄OH + H₂O (SC-1) eliminan eficazmente los residuos y partículas orgánicas, mientras que H₂O₂ + HCl + H₂O (SC-2) elimina los iones metálicos y los óxidos superficiales.
- Durante el grabado húmedo, el peróxido de hidrógeno actúa como agente oxidante controlado, Forma una fina capa de óxido que puede eliminarse selectivamente para lograr un control microestructural preciso. Su alta pureza y estabilidad garantizan una mínima generación de partículas y una baja contaminación metálica, cumpliendo así con los exigentes estándares de la industria de semiconductores.
Fabricación de circuitos integrados (CI) y obleas
- En la fabricación de circuitos integrados, se utiliza peróxido de hidrógeno de grado electrónico. Eliminación de fotorresistencia y acondicionamiento de superficies. Cuando se combina con ácido sulfúrico (formando la solución Piranha), oxida y descompone rápidamente los residuos orgánicos que quedan de los procesos de fotolitografía.
- El peróxido de hidrógeno también ayuda a pasivación de superficies metálicas, especialmente para capas de cobre y aluminio, mediante la formación de películas de óxido uniformes que protegen contra la corrosión. Sus niveles ultrabajos de impurezas y su comportamiento de descomposición estable lo hacen ideal para nodos semiconductores avanzados que requieren precisión subnanométrica.
Placa de circuito impreso (PCB) y microelectrónica
- En la producción de PCB, el peróxido de hidrógeno funciona como un Agente de limpieza, grabado y eliminación de óxido. En combinación con ácido sulfúrico o persulfatos, oxida las superficies de cobre, mejorando la adhesión de las capas de recubrimiento posteriores. El peróxido de hidrógeno también se utiliza en baños de limpieza microelectrónica para eliminar residuos de fundente, aceites y contaminantes orgánicos de las líneas finas de los circuitos.
- Es Alta estabilidad de descomposición y bajo contenido de iones metálicos Previene reacciones electroquímicas indeseadas, garantizando superficies lisas y uniformes. El peróxido de hidrógeno de grado electrónico mejora la fiabilidad del producto y prolonga la vida útil de los componentes microelectrónicos.
Industria fotovoltaica
- El peróxido de hidrógeno se aplica en el fabricación de células solares, especialmente durante los procesos de limpieza, texturizado y recubrimiento antirreflectante de obleas. Elimina las impurezas metálicas y orgánicas de las obleas de silicio antes del recubrimiento, lo que garantiza una mejor absorción de la luz y una mayor eficiencia de conversión energética.
- En la producción de células solares de alta eficiencia (como las células PERC y HJT), el peróxido de hidrógeno se utiliza en soluciones de limpieza avanzadas que previenen la contaminación por partículas y los defectos de la superficie, lo que contribuye a un rendimiento fotovoltaico constante.
Componentes LED y optoelectrónicos
- El peróxido de hidrógeno de grado electrónico es crucial en la Producción de chips LED y componentes optoelectrónicos, La limpieza de la superficie afecta directamente el rendimiento óptico. Elimina trazas de películas orgánicas y residuos de pulido de sustratos de zafiro, GaN y SiC.
- En los sistemas de deposición química de vapor metalorgánico (MOCVD), el peróxido de hidrógeno facilita la limpieza de la cámara y el mantenimiento de los componentes, lo que ayuda a reducir la contaminación y a mejorar el rendimiento. Su alta pureza minimiza los iones residuales que pueden afectar la claridad óptica o la conductividad.
Procesamiento avanzado de materiales
- El peróxido de hidrógeno también se utiliza en Preparación de nanomateriales, síntesis de catalizadores y fabricación de películas delgadas. Sus propiedades de oxidación controlada permiten la formación de nanoestructuras de óxido y recubrimientos funcionales. Por ejemplo, se utiliza en la preparación de óxido de TiO₂, ZnO y grafeno con tamaños de partícula uniformes y propiedades superficiales controladas.
- La pureza ultra alta del peróxido de hidrógeno de grado electrónico garantiza reacciones químicas precisas sin introducir impurezas no deseadas, lo que respalda la innovación en materiales avanzados y electrónica de próxima generación.
Almacenamiento y manipulación
- Almacenar en Limpio, seco y con temperatura controlada entornos.
- Usar equipos y tuberías dedicados fabricado con materiales compatibles (por ejemplo, HDPE, PTFE, PVDF).
- Evite el contacto con metales, polvo o contaminantes orgánicos.
- Mantener alejado del calor, chispas y luz solar directa.
- Asegúrese de que existan sistemas de transferencia de circuito cerrado y conexión a tierra adecuados durante su uso.
Aviso de uso
- Manipular únicamente en salas blancas o entornos controlados.
- Utilice siempre contenedores dedicados para evitar la contaminación cruzada.
- No mezclar con ácidos, bases o agentes reductores.
- Los operadores deben usar equipo apropiado equipo de protección.
- Eliminar los residuos siguiendo las siguientes instrucciones: regulaciones ambientales y de seguridad.
- Solución de limpieza SC-1: peróxido de hidrógeno 30%, hidróxido de amonio 10%, agua 60%; el peróxido de hidrógeno oxida y elimina residuos orgánicos y partículas de las obleas de silicio.
- Solución de limpieza SC-2: peróxido de hidrógeno 30%, ácido clorhídrico 10%, agua 60%; el peróxido de hidrógeno disuelve los contaminantes metálicos y mejora la pureza de la superficie de la oblea.
- Mezcla de limpieza Piranha: peróxido de hidrógeno 30%, ácido sulfúrico 70%; el peróxido de hidrógeno oxida los residuos orgánicos y descompone las capas de fotorresistencia en la fabricación de circuitos integrados.
- Solución de tratamiento de superficies de cobre: peróxido de hidrógeno 10%, ácido sulfúrico 5%, agua 85%; el peróxido de hidrógeno oxida las superficies de cobre y mejora la adhesión para el enchapado.
- Fórmula de limpieza de obleas fotovoltaicas: peróxido de hidrógeno 25%, amoníaco 5%, agua 70%; el peróxido de hidrógeno elimina las impurezas orgánicas y mejora la eficiencia de las células solares.
- Solución de limpieza del sustrato LED: peróxido de hidrógeno 15%, agua desionizada 85%; el peróxido de hidrógeno elimina los residuos de pulido y las películas orgánicas para mejorar la claridad óptica.
- Sistema de síntesis de nanomateriales: peróxido de hidrógeno 10%, isopropóxido de titanio 2%, agua 88%; el peróxido de hidrógeno controla la oxidación para formar nanopartículas de TiO₂ uniformes.
Embalaje
- Tambor Integra de 200 L
- Tanque IBC (contenedor intermedio para graneles)
