Перекись водорода H₂O₂, раствор перекиси для электронного применения CAS 7722-84-1
- КАС: 7722-84-1
- Синонимы: диоксид водорода, раствор перекиси водорода
- Номер EINECS: 231-765-0
- Молекулярная формула: H₂O₂
- Оценка: Электронная оценка
- Упаковка: бочка Integra объемом 200 л / контейнер IBC.
Tree Chem производит Перекись водорода электронного качества (CAS 7722-84-1) Этот продукт проходит строгий контроль качества очистки и фильтрации, чтобы соответствовать высоким требованиям полупроводниковых заводов, фотоэлектрических линий и производства ЖК/LED-дисплеев. содержание металлов на уровне ниже ppb, Обладает превосходной стабильностью к разложению и высокой прозрачностью. Доступен в нескольких вариантах (серии HP и UP), разработанных для различных задач точной очистки и окисления.
Для получения технической консультации или сотрудничества, пожалуйста, свяжитесь с нами. info@cntreechem.com.
Спецификация
Основная информация
| Параметр | Ценить |
| Номер CAS | 7722-84-1 |
| Синонимы | Диоксид водорода, раствор перекиси |
| Номер EINECS. | 231-765-0 |
| Молекулярная формула | H₂O₂ |
| Оценка | Электронный класс |
| Упаковка | 200-литровый барабан Integra / IBC-резервуар |
Технические характеристики
| Элемент | HP-1 | HP-2 | УП-1 | УП-2 | УП-3 | УП-4 |
| Содержание H₂O₂ (с %) | 30–35 | 30–35 | 30–32 | 30–32 | 30–32 | 30–32 |
| Цвет (Хазен) ≤ | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Свободная кислота (в пересчете на H₂SO₄, ppm) ≤ | 30 | 30 | 30 | 30 | 10 | 10 |
| Общее содержание органического углерода (ТОС, ppm) ≤ | 40 | 40 | 20 | 20 | 10 | 5 |
| Хлорид (Cl⁻, ppm) ≤ | 0.5 | 0.5 | 0.2 | 0.2 | 0.03 | 0.03 |
| Сульфит (SO₃²⁻, ppm) ≤ | 2 | 2 | 0.4 | 0.4 | 0.03 | 0.03 |
| Фосфат (PO₄³⁻, ppm) ≤ | 1 | 1 | 0.4 | 0.4 | 0.03 | 0.03 |
| Сульфат (SO₄²⁻, ppm) ≤ | 2 | 2 | 0.2 | 0.2 | 0.03 | 0.03 |
| Алюминий (Al, ppb) ≤ | 500 | 100 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Мышьяк (As, ppb) ≤ | 20 | 5 | 1 | 1 | 0.1 | 0.01 |
| Бор (B, ppb) ≤ | 50 | 20 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Барий (Ba, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Кальций (Ca, ppb) ≤ | 200 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Кадмий (Cd, ppb) ≤ | 50 | 20 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Хром (Cr, ppb) ≤ | 20 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Медь (Cu, ppb) ≤ | 20 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Железо (Fe, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Калий (K, ppb) ≤ | 200 | 100 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Магний (Mg, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Натрий (Na, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Никель (Ni, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Стронций (Sr, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Олово (Sn, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Титан (Ti, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Ванадий (V, ppb) ≤ | 50 | 10 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Цинк (Zn, ppb) ≤ | 100 | 50 | 10 | 10 | 0.1 | 0.01 |
| Количество частиц (≥0,2 мкм, шт./мл) ≤ | — | — | 10 | 10 | — | — |
Приложения
Производство полупроводников
- Перекись водорода электронного качества широко используется в очистка и травление полупроводников В процессах, где он играет жизненно важную роль в удалении органических и металлических примесей с кремниевых пластин. На этапах очистки RCA смеси, такие как H₂O₂ + NH₄OH + H₂O (SC-1), эффективно удаляют органические остатки и частицы, в то время как H₂O₂ + HCl + H₂O (SC-2) удаляет ионы металлов и поверхностные оксиды.
- В процессе влажного травления перекись водорода служит в качестве... контролируемый окислитель, образует тонкий оксидный слой, который можно избирательно удалять для достижения точного контроля микроструктуры. Его высокая чистота и стабильность обеспечивают минимальное образование частиц и низкий уровень загрязнения металлами, что соответствует высоким стандартам полупроводниковой промышленности.
Изготовление интегральных схем (ИС) и кремниевых пластин
- В производстве интегральных схем используется перекись водорода электронного качества. Удаление фоторезиста и подготовка поверхности. При взаимодействии с серной кислотой (образуя раствор «пиранья») он быстро окисляет и разлагает органические остатки, оставшиеся после процессов фотолитографии.
- Перекись водорода также способствует пассивация металлической поверхности, В частности, для слоев меди и алюминия, благодаря образованию однородных оксидных пленок, защищающих от коррозии. Сверхнизкий уровень примесей и стабильное поведение при разложении делают его идеальным для передовых полупроводниковых технологий, требующих субнанометровой точности.
Печатные платы (PCB) и микроэлектроника
- В производстве печатных плат перекись водорода выполняет функцию Средство для очистки, травления и удаления оксидов.. В сочетании с серной кислотой или персульфатами он окисляет медные поверхности, улучшая адгезию последующих слоев покрытия. Перекись водорода также используется в ваннах для очистки микроэлектроники для удаления остатков флюса, масел и органических загрязнений с тонких печатных плат.
- Его высокая стабильность при разложении и низкое содержание ионов металлов. Предотвращает нежелательные электрохимические реакции, обеспечивая гладкие и однородные поверхности. Перекись водорода электронного класса повышает надежность продукции и продлевает срок службы микроэлектронных компонентов.
Фотоэлектрическая промышленность
- Перекись водорода применяется в производство солнечных батарей, В частности, в процессах очистки, текстурирования и нанесения антиотражающих покрытий на кремниевые пластины. Это позволяет удалить металлические и органические примеси с кремниевых пластин перед нанесением покрытия, обеспечивая лучшее поглощение света и более высокую эффективность преобразования энергии.
- В производстве высокоэффективных солнечных элементов (таких как элементы PERC и HJT) перекись водорода используется в современных чистящих растворах, которые предотвращают загрязнение частицами и дефекты поверхности, способствуя стабильной работе фотоэлектрических элементов.
Светодиоды и оптоэлектронные компоненты
- Перекись водорода электронного качества имеет решающее значение в производство светодиодных чипов и оптоэлектронных компонентов, где чистота поверхности напрямую влияет на оптические характеристики. Она удаляет следы органических пленок и остатки полировки с сапфировых, GaN и SiC подложек.
- В системах металлоорганического химического осаждения из газовой фазы (MOCVD) перекись водорода помогает в очистке камеры и обслуживании компонентов, способствуя снижению загрязнения и повышению выхода годной продукции. Ее высокая чистота минимизирует остаточные ионы, которые могут ухудшить оптическую прозрачность или проводимость.
Передовые технологии обработки материалов
- Перекись водорода также используется в получение наноматериалов, синтез катализаторов и изготовление тонких пленок.. Благодаря контролируемым свойствам окисления, он позволяет формировать оксидные наноструктуры и функциональные покрытия. Например, его используют для получения оксидов TiO₂, ZnO и графена с однородными размерами частиц и контролируемыми свойствами поверхности.
- Сверхвысокая чистота перекиси водорода электронного класса гарантирует точные химические реакции без внесения нежелательных примесей, что способствует инновациям в области передовых материалов и электроники следующего поколения.
Хранение и обработка
- Хранить в чистое, сухое и с регулируемой температурой. среды.
- Использовать специализированное оборудование и трубопроводы изготовлено из совместимых материалов (например, HDPE, PTFE, PVDF).
- Избегайте контакта с металлы, пыль или органические загрязнители.
- Беречь от источников тепла, искр и прямых солнечных лучей.
- Во время эксплуатации необходимо обеспечить надлежащее заземление и замкнутую систему передачи данных.
Уведомление об использовании
- Обрабатывать только в чистые помещения или контролируемые среды.
- Всегда используйте выделенные контейнеры во избежание перекрестного загрязнения.
- Не смешивайте с кислотами, щелочами или восстановителями.
- Операторы должны носить соответствующую одежду. защитное оборудование.
- Утилизируйте остатки следующим образом: экологические нормы и правила безопасности.
- Чистящий раствор SC-1: перекись водорода 30%, гидроксид аммония 10%, вода 60%; перекись водорода окисляет и удаляет органические остатки и частицы с кремниевых пластин.
- Чистящий раствор SC-2: перекись водорода 30%, соляная кислота 10%, вода 60%; перекись водорода растворяет металлические загрязнения и повышает чистоту поверхности пластины.
- Чистящая смесь «Пиранья»: перекись водорода 30%, серная кислота 70%; перекись водорода окисляет органические остатки и разлагает слои фоторезиста при изготовлении интегральных схем.
- Раствор для обработки медных поверхностей: перекись водорода 10%, серная кислота 5%, вода 85%; перекись водорода окисляет медные поверхности и улучшает адгезию при нанесении покрытий.
- Состав для очистки фотоэлектрических пластин: перекись водорода 25%, аммиак 5%, вода 70%; перекись водорода удаляет органические примеси и повышает эффективность солнечных элементов.
- Раствор для очистки подложек светодиодов: перекись водорода 15%, деионизированная вода 85%; перекись водорода удаляет остатки полировки и органические пленки, улучшая оптическую прозрачность.
- Система синтеза наноматериалов: перекись водорода 10%, изопропоксид титана 2%, вода 88%; перекись водорода контролирует окисление для образования однородных наночастиц TiO₂.
Упаковка
- 200-литровый барабан Integra
- IBC-танкер (промежуточный контейнер для сыпучих материалов)



